Liste des marchandises et technologies d’exportation contrôlée (DORS/89-202)

MODIFICATIONS NON EN VIGUEUR

• — DORS/2024-112, art. 1

  • 1 Le paragraphe 5504(1) de l’annexe de la version anglaise de la Liste des marchandises et technologies d’exportation contrôléeNote de bas de page ¹ est remplacé par ce qui suit :

    • Retour à la référence de la note de bas de page ¹DORS/89-202; DORS/2009-128, art. 1

    • 5504

      • (1) In this item, development, production, software, spacecraft, technology and use have the same meaning as in the provision of the Guide entitled “Definitions of Terms Used in Groups 1 and 2”.

• — DORS/2024-112, art. 2

  • 2 Le groupe 5 de l’annexe de la même liste est modifié par adjonction, après l’article 5505, de ce qui suit :

    Autres marchandises et technologies stratégiques (toutes destinations autres que les États-Unis)

    • 5506

      • (1) Pour l’application du présent article, développement, ensembles électroniques, logiciel, production, technologie, transistor à effet de champ à grille environnante (Gate-All-Around) (GAAFET) et utilisation s’entendent au sens qui leur est donné à la rubrique « Définitions des termes utilisés dans les groupes 1 et 2 » du Guide.

      • (2) Les autres marchandises et technologies stratégiques, à savoir :

        • a) sous réserve de la « Note générale sur les logiciels » dans le groupe 1 du Guide, les logiciels ci-après, autres que ceux visés au groupe 1 du Guide :

          • (i) les logiciels spécialement conçus ou modifiés pour le développement ou la production d’articles visés aux divisions c)(ii)(B) ou (C) ou aux sous-alinéas d)(iii) ou (iv),

          • (ii) les logiciels spécialement conçus pour l’utilisation d’articles visés au sous-alinéa d)(iii),

          • (iii) les logiciels conçus pour extraire des données en format Graphic Design System II (GDSII) ou des données de configuration standard équivalentes et effectuer un alignement de couche à couche à partir d’images de microscope électronique à balayage (MEB), et pour générer des données multicouches en format GDSII ou la liste d’interconnexions de circuits;

            • NOTA :

              Au sous-alinéa (iii), le format Graphic Design System II (GDSII) est un format de fichier de base de données utilisé dans le cadre de l’échange de données d’illustration de circuits intégrés ou d’illustration de configuration de circuits intégrés.

        • b) sous réserve de la « Note générale sur la technologie » dans le groupe 1 du Guide, les technologies ci-après, autres que celles visées au groupe 1 du Guide :

          • (i) les technologies spécialement conçues ou modifiées pour le développement ou la production d’articles visés aux divisions c)(ii)(B) ou (C) ou aux sous-alinéas d)(iii) ou (iv),

          • (ii) les technologies spécialement conçues ou modifiées pour le développement ou la production de circuits intégrés ou de dispositifs utilisant des structures de transistor à effet de champ à grille environnante (Gate-All-Around) (GAAFET);

            • NOTA :

              1 Le sous-alinéa (ii) comprend les recettes de processus. Recette de processus s’entend d’un ensemble de conditions et de paramètres pour une étape particulière du processus.

              2 Le sous-alinéa (ii) ne s’applique pas à la technologie utilisée pour la qualification ou la maintenance des outils.

        • c) les systèmes, équipements et composants ci-après, autres que ceux visés au groupe 1 du Guide :

          • (i) les circuits intégrés à semi-conducteur métal-oxyde complémentaire (CMOS) conçus pour fonctionner à une température ambiante égale ou inférieure à (meilleure que) 4,5 K (-268,65 °C),

            • NOTA :

              Pour l’application du sous-alinéa (i), les circuits intégrés à semi-conducteur métal-oxyde complémentaire (CMOS) sont aussi appelés CMOS cryogéniques ou cryoCMOS.

          • (ii) les ordinateurs quantiques et leurs ensembles électroniques et composants, à savoir :

            • (A) les ordinateurs quantiques suivants :

              • (I) les ordinateurs quantiques soutenant 34 ou plus, mais moins de 100, de qubits physiques entièrement commandés, connectés et fonctionnels, et ayant une erreur C-NOT inférieure ou égale à 10^-4,

              • (II) les ordinateurs quantiques soutenant 100 ou plus, mais moins de 200, qubits physiques entièrement commandés, connectés et fonctionnels, et ayant une erreur C-NOT inférieure ou égale à 10^-3,

              • (III) les ordinateurs quantiques soutenant 200 ou plus, mais moins de 350, qubits physiques entièrement commandés, connectés et fonctionnels, et ayant une erreur C-NOT inférieure ou égale à 2 x 10^-3,

              • (IV) les ordinateurs quantiques soutenant 350 ou plus, mais moins de 500, qubits physiques entièrement commandés, connectés et fonctionnels, et ayant une erreur C-NOT inférieure ou égale à 3 x 10^-3,

              • (V) les ordinateurs quantiques soutenant 500 ou plus, mais moins de 700, qubits physiques entièrement commandés, connectés et fonctionnels, et ayant une erreur C-NOT inférieure ou égale à 4 x 10^-3,

              • (VI) les ordinateurs quantiques soutenant 700 ou plus, mais moins de 1100, qubits physiques entièrement commandés, connectés et fonctionnels, et ayant une erreur C-NOT inférieure ou égale à 5 x 10^-3,

              • (VII) les ordinateurs quantiques soutenant 1100 ou plus, mais moins de 2000, qubits physiques entièrement commandés, connectés et fonctionnels, et ayant une erreur C-NOT inférieure ou égale à 6 x 10^-3,

              • (VIII) les ordinateurs quantiques soutenant 2000 ou plus qubits physiques entièrement commandés, connectés et fonctionnels,

            • (B) les dispositifs qubits et circuits qubits contenant ou soutenant des réseaux de qubits physiques et étant spécialement conçus pour les articles visés à la division (A),

            • (C) les composants de commande quantiques et dispositifs de mesure quantiques étant spécialement conçus pour les articles visés à la division (A);

            • NOTA :

              1 Les articles visés à la division (B) comprennent les puces et réseaux de puces à qubits semi-conducteurs, supraconducteurs et photoniques, les réseaux de pièges à ions en surface, d’autres technologies de confinement de qubits et les interconnexions cohérentes entre ces articles.

              2 La division (C) s’applique aux articles conçus pour étalonner, initialiser, manipuler ou mesurer les qubits résidents d’un ordinateur quantique.

              3 Le sous-alinéa (ii) s’applique aux ordinateurs quantiques à modèle de circuit quantique (ou à portes) ainsi que les ordinateurs quantiques à sens unique (ou basés sur des mesures) mais ne s’applique aux ordinateurs quantiques adiabatiques (ou à recuit).

              4 Les articles visés au sous-alinéa (ii) ne doivent pas nécessairement contenir physiquement des qubits. Par exemple, les ordinateurs quantiques basés sur des procédés photoniques ne contiennent pas de manière permanente un article physique qui peut être identifié comme un qubit. Les qubits photoniques sont générés pendant que l’ordinateur fonctionne et sont ensuite éliminés.

              5 Au sous-alinéa (ii), qubit physique s’entend d’un système quantique à deux niveaux utilisé pour représenter l’unité élémentaire de la logique quantique au moyen de manipulations et de mesures qui ne font pas l’objet d’une correction d’erreur. Les qubits physiques diffèrent des qubits logiques en ce que ces derniers sont des qubits qui ont fait l’objet d’une correction d’erreur et qui sont constitués d’un grand nombre de qubits physiques.

              6 À la division (A), soutenant 34 ou plus de qubits physiques entièrement commandés, connectés et fonctionnels fait référence à la capacité d’un ordinateur quantique de confiner, commander, mesurer et traiter les informations quantiques incorporées dans 34 qubits physiques ou plus.

              7 À la division (A), entièrement commandé se dit du qubit physique qui peut être étalonné, initialisé, isolé et lu au besoin.

              8 À la division (A), connectés se dit lorsque des opérations de porte à deux qubits peuvent être effectuées entre une paire arbitraire de qubits physiques fonctionnels disponibles. Cela n’implique pas nécessairement une connectivité totale entre les qubits.

              9 À la division (A), fonctionnel se dit du qubit physique qui accomplit des fonctions de calcul quantique universelles selon les spécifications du système relatives à la fidélité opérationnelle du qubit.

              10 À la division (A), erreur C-NOT s’entend de l’erreur de porte physique moyenne pour les portes contrôlées NOT (« C-NOT ») à deux qubits physiques les plus proches voisines.

        • d) les équipements d’essai, de contrôle et de production ci-après, autres que ceux visés au groupe 1 du Guide :

          • (i) les masques et réticules conçus pour les circuits intégrés visés au sous-alinéa c)(i),

          • (ii) les modèles de lithographie par impression conçus pour les circuits intégrés visés au sous-alinéa c)(i),

          • (iii) les équipements ci-après conçus pour la gravure sèche :

            • (A) les équipements conçus ou modifiés pour la gravure sèche isotropique présentant une sélectivité de la gravure de silicium-germanium à silicium (SiGe :Si) maximale supérieure ou égale à 100:1,

              • NOTA :

                Pour l’application de la division (A), la sélectivité de la gravure de silicium-germanium à silicium (SiGe :Si) est mesurée pour une concentration de germanium (Ge) supérieure ou égale à 30 % (Si_0,70Ge _0,30).

            • (B) les équipements conçus ou modifiés pour la gravure sèche anisotropique présentant tous les éléments suivants :

              • (I) une ou plusieurs sources d’énergie radiofréquence (RF) avec au moins une sortie RF pulsée,

              • (II) au moins une vanne à commutation de gaz rapide ayant un temps de commutation de moins de 300 ms,

              • (III) un mandrin électrostatique avec au moins vingt éléments à température variable réglables individuellement,

              • NOTA :

                1 La division (B) comprend la gravure à l’aide de plasma excité par impulsions RF, de plasma excité par cycle pulsé, de plasma modifié avec tension pulsée sur les électrodes, d’injection et purge cycliques de gaz combinés avec un plasma, de gravure de couche atomique par plasma ou de gravure de couche quasi atomique par plasma.

                2 Le sous-alinéa (iii) comprend la gravure par radicaux, ions, réactions séquentielles ou réactions non séquentielles.

                3 À la note 2, radical s’entend d’un atome, d’une molécule ou d’un ion qui possède un électron non apparié dans une configuration de couche électronique ouverte.

          • (iv) les équipements de microscopie électronique à balayage (MEB) conçus pour l’imagerie de dispositifs à semi-conducteurs ou de circuits intégrés présentant toutes les caractéristiques suivantes :

            • (A) une précision de positionnement de la platine inférieure à (meilleure que) 30 nm,

            • (B) l’obtention de la mesure du positionnement de la platine par interférométrie laser,

            • (C) l’étalonnage de position à l’intérieur d’un champ de vision basé sur la mesure de l’échelle de longueur de l’interféromètre laser,

            • (D) la capacité de collecter et de stocker des images ayant plus de 2 x 10⁸ pixels,

            • (E) un chevauchement de champ de vision de moins de 5 % dans les directions verticale et horizontale,

            • (F) un chevauchement de couture de champ de vision de moins de 50 nm,

            • (G) une tension d’accélération de plus de 21 kV.

            • NOTA :

              1 Le sous-alinéa (iv) comprend les équipements MEB conçus pour la récupération de la conception des puces.

              2 Le sous-alinéa (iv) ne s’applique pas aux équipements MEB conçus pour accepter un porte-plaquette conforme à la norme de l’association Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI), p. ex., un caisson normalisé à ouverture frontale (Front Opening Unified Pod ou FOUP) de 200 mm ou plus.